本發(fā)明公開(kāi)了一種高介電、低損耗聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒
復(fù)合材料的制備方法,該方法是以聚酰亞胺為基質(zhì)制備,將制備好的CCTO@Ag納米顆粒在無(wú)水乙醇中進(jìn)行超聲分散之后,與聚酰亞胺單體共混于溶劑中,然后在室溫下使單體進(jìn)行原位聚合反應(yīng),同時(shí)實(shí)現(xiàn)聚酰亞胺的共聚以及與CCTO@Ag納米顆粒的插層復(fù)合,所得的原液采用涂膜法,經(jīng)過(guò)梯度退火即得到聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒復(fù)合薄膜。使用本發(fā)明方法制備的聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒復(fù)合材料與純的聚酰亞胺相比,其介電常數(shù)(103)提高30倍,且具有較低的介質(zhì)損耗(0.006),在高
儲(chǔ)能電容器、人造器官以及高速集成電路等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“聚酰亞胺/鈦酸銅鈣包覆銀納米顆粒復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)