本發(fā)明公開了一種摻氮晶型金剛石
半導(dǎo)體材料,屬于金剛石半導(dǎo)體領(lǐng)域。其中,所述摻氮晶型金剛石半導(dǎo)體
復(fù)合材料包括以高溫高壓法制得的IIa型金剛石晶體作為襯底材料,以CH
4、Ar和NH
3作為氣體源,在襯底材料上生長(zhǎng)出的摻氮晶型金剛石。本發(fā)明進(jìn)一步公開了制備所述摻氮晶型金剛石半導(dǎo)體材料的方法。利用本發(fā)明制備的摻氮晶型金剛石半導(dǎo)體材料,具有較好的電學(xué)性能和半導(dǎo)體性能,可以推動(dòng)金剛石半導(dǎo)體器件的發(fā)展,也將有助于金剛石基半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
聲明:
“晶型金剛石摻氮半導(dǎo)體復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)