本發(fā)明涉及一種半導體廣譜殺菌抗病毒
復合材料和制備方法。所述材料是具有能抑制殺滅新冠病毒等病原體的納米黑色二氧化鈦
半導體材料和所錨定的多種增效活性物質。所述納米黑色二氧化鈦材料是全光譜響應半導體,能通過光熱驅動催化、集熱升溫殺滅病原體。具體增效活性物質包括:進行“冷火”催化殺滅病原體的寡量金屬、可和黑色二氧化鈦協同常溫催化殺滅病原體的納米p型半導體、可高效抑制殺滅細菌病毒等病原體的金屬離子。因此本發(fā)明材料可以通過多種機制協同高效殺滅病菌病毒。這種復合材料適合負載在濾層材料上,工藝簡單、價格低廉、無毒副作用,具有高效的廣譜殺菌抗病毒功能,可用于抗疫防護。
聲明:
“半導體廣譜殺菌抗病毒復合材料和制備方法和制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)