本發(fā)明公開了一種以鈦網(wǎng)為基底的超薄二硫化鉬晶體納米
復合材料制備方法及其應用,通過簡單的一步溶劑熱合成法,將二硫化鉬原位生長于鈦網(wǎng)基底上,加強了二硫化鉬與基底之間的界面結(jié)合,實現(xiàn)了二硫化鉬與鈦網(wǎng)之間的歐姆接觸,避免了使用粘連劑而帶來的界面接觸電阻,大大提升了電子傳遞效率,同時,二硫化鉬生長為超薄薄片結(jié)構,富含大量的邊緣裂紋缺陷,有效地增加了反應的活性位點,且其薄片邊緣的活性位點充分暴露,顯著提升了氫析出反應(HER)的催化效率。
聲明:
“以鈦網(wǎng)為基底的超薄二硫化鉬晶體納米復合材料的制備方法及產(chǎn)品和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)