本發(fā)明公開了一種制備石墨/碳化硅致密
復(fù)合材料的方法,在石墨件表面沉積碳化硅之前,先在石墨件表面涂刷一層碳化硅顆粒層作為過渡層,再CVD沉積碳化硅涂層。本發(fā)明通過在石墨件表面涂刷一層碳化硅顆粒作為過渡層,再CVD沉積碳化硅涂層,因為碳化硅顆粒過渡層存在小的孔洞,其表面上沉積的碳化硅滲透進(jìn)入孔洞,使得涂層與基體結(jié)合更為緊密;同時,本發(fā)明的方法周期短、電耗低,有效解決石墨件的純度和涂層結(jié)合力問題,防止給后續(xù)工段引入雜質(zhì)。
聲明:
“制備石墨/碳化硅致密復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)