本發(fā)明屬于電子封裝材料領(lǐng)域,涉及一種制備具有負(fù)膨脹系數(shù)鱗片石墨/Cu
復(fù)合材料的方法。選用平均粒徑400?2000μm、厚度40?50μm的鱗片石墨,進(jìn)行敏化處理和活化處理,然后在鱗片石墨顆粒表面化學(xué)鍍覆Ni?P層,Ni?P層的厚度控制在300nm?3000nm范圍內(nèi),同時(shí)控制P在鍍層的含量為10%;將鍍覆后的鱗片石墨與銅粉末進(jìn)行混合,石墨體積分?jǐn)?shù)為50?60vol%,銅粉粒度為?325目,然后進(jìn)行熱壓燒結(jié),燒結(jié)溫度為650?800℃,壓力20?30MPa,保溫保壓時(shí)間為30?120min。通過(guò)鱗片石墨表面鍍Ni?P層,并控制鱗片石墨的體積分?jǐn)?shù),可將鱗片石墨/Cu的熱膨脹系數(shù)由目前的3ppm/K降低到0ppm/K以下,滿(mǎn)足特定封裝場(chǎng)合對(duì)材料要求負(fù)膨脹系數(shù)的要求。
聲明:
“制備具有負(fù)膨脹系數(shù)鱗片石墨/Cu復(fù)合材料的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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