本發(fā)明涉及一種硅碳氮吸波陶瓷基
復(fù)合材料的制備方法,經(jīng)CVD/CVI技術(shù),在適合的溫度范圍內(nèi),采用SiCl4、SiHCl3或其它氯硅化物、
硅烷作為硅源,CH4、C3H6、C2H2或其它烷烴、烯烴、炔烴作為碳源,NH3或N2作為氮源,H2作為載氣與反應(yīng)氣體,Ar作為稀釋氣體,在基底材料上原位合成SiCN,獲得了均勻致密、無(wú)雜質(zhì)、組分和吸波性能可設(shè)計(jì)的SiCN基體和涂層。本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)制備CFCC-SiC吸波性能不高的不足,同時(shí)便于實(shí)現(xiàn)所制備的吸波基體的組分、滲透性、厚度以及吸波性能的控制。
聲明:
“硅碳氮吸波陶瓷基復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)