本發(fā)明涉及一種基于黑磷烯的半導體
復合材料及其制備方法與應用,其原料組分如下:黑磷烯?聚苯胺復合物10~20份,成膜基底50~60份,填料0~15份,交聯(lián)劑1~5份,有機溶劑200~250份。相對于現(xiàn)有技術,本發(fā)明以黑磷烯?聚苯胺為半導體介質,其特殊的二維納米結構,使得在不添加導電粉體情況下,在20℃的體積電阻率在6~11Ω·cm,應用前景廣泛;且黑磷烯二維納米結構與苯胺形成共軛結構,聚合后的聚苯胺與黑磷復合均勻,使得材料性能更加穩(wěn)定。
聲明:
“基于黑磷烯的半導體復合材料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)