本發(fā)明公開(kāi)了一種具有復(fù)合鈍化層的CZT膜
復(fù)合材料、核輻射探測(cè)器件及其制備方法,屬半導(dǎo)體探測(cè)材料制造技術(shù)領(lǐng)域。本方法是先通過(guò)近空升華法在導(dǎo)電玻璃襯底上沉積碲鋅鎘膜,在進(jìn)行拋光和腐蝕之后,再在碲鋅鎘膜上通過(guò)磁控濺射方法依此沉積碲化鎘、硫化鋅的復(fù)合鈍化層。之后在N
2氛圍下進(jìn)行退火。經(jīng)過(guò)光刻和干法刻蝕后,使用電子束蒸發(fā)方法繼續(xù)在膜上上沉積金電極。鈍化層的存在使得拋光、腐蝕后的碲鋅鎘膜表面受到良好的保護(hù),碲鋅鎘膜表面漏電流減小,從而改善碲鋅鎘探測(cè)器的性能,本發(fā)明制備的薄膜材料對(duì)于公共安全、軍事、核工業(yè)、核醫(yī)學(xué)、科學(xué)研究以及航空航天等領(lǐng)域安全監(jiān)控、輻射防護(hù)方面具有重要意義和應(yīng)用前景。
聲明:
“具有復(fù)合鈍化層的CZT膜復(fù)合材料、核輻射探測(cè)器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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