本發(fā)明提供一種氫氧化物離子傳導(dǎo)致密膜,具有氫氧化物離子傳導(dǎo)性,并且,每單位面積的He透過率為10cm/min·atm以下。根據(jù)本發(fā)明,能夠提供可顯著降低氫氧化物離子以外的物質(zhì)(特別是鋅二次電池中引起鋅枝晶生長的Zn)透過、由此特別適用于電池用隔板等規(guī)定用途(特別是鋅枝晶生長構(gòu)成問題的鋅二次電池用途)的、致密性極高的氫氧化物離子傳導(dǎo)致密膜。
聲明:
“氫氧化物離子傳導(dǎo)致密膜及復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)