本發(fā)明公開一種納米金屬氧化物及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管,其中,所述納米金屬氧化物的制備方法包括步驟:提供一種
復(fù)合材料,所述復(fù)合材料包括PAMAM樹形分子以及結(jié)合在所述PAMAM樹形分子腔體內(nèi)的金屬離子;將所述復(fù)合材料和初始納米金屬氧化物在極性溶劑中混合,使復(fù)合材料中的金屬離子電離后與初始納米金屬氧化物表面的氧空位配位結(jié)合,得到所述納米金屬氧化物。通過本發(fā)明方法能夠制得表面缺陷較少的納米金屬氧化物,將所述納米金屬氧化物作為量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子傳輸層材料,可以調(diào)節(jié)量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子遷移率,從而使其電子空穴注入速率達(dá)到平衡,進(jìn)而提高其發(fā)光效率。
聲明:
“納米金屬氧化物及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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