本發(fā)明公開了一種TiO2@PZT納米線陣列/聚合物的復(fù)合介電材料,包括TiO2納米線陣列、PZT包覆層和聚合物層。此外,本發(fā)明還公開了所述
復(fù)合材料的制備方法,先在基底表面生長TiO2納米線陣列層;再在其表面涂覆PZT溶膠、隨后進行退火處理,最后再在復(fù)合后的TiO2納米線陣列層表面涂覆聚合物溶液,干燥即得所述的復(fù)合介電材料。本發(fā)明提供的材料利用具備高度取向性的TiO2納米線陣列作為基底,再將PZT相包覆于納米線的表面、再在上層旋涂聚合物,可克服現(xiàn)有復(fù)合介電材料普遍存在的因陶瓷相和聚合物基體相容性不好、混合不均勻等導(dǎo)致的介電性能差的技術(shù)問題;通過所述的各層結(jié)構(gòu)的協(xié)同,可高效提升復(fù)合材料的介電性能以及低電場下的
儲能密度。
聲明:
“TiO2@PZT 納米線陣列/聚合物的復(fù)合介電材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)