本發(fā)明提供了一種QLED器件,包括依次設置的陽極、空穴注入層、量子點發(fā)光層和陰極,且所述空穴注入層由MoO
x/PANI納米
復合材料制成,或所述空穴注入層中含有MoO
x/PANI納米復合材料,其中,所述MoO
x/PANI納米復合材料為聚苯胺包覆的一維MoO
x納米材料。
聲明:
“QLED器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)