本發(fā)明涉及導(dǎo)電支撐體負(fù)載的SiO/C復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用,所述復(fù)合電極材料包括:導(dǎo)電支撐體、負(fù)載于所述導(dǎo)電支撐體上的氧化硅層、以及包覆于所述氧化硅層表面的導(dǎo)電包覆層。本發(fā)明的基于氧化硅的
復(fù)合材料由于采用了導(dǎo)電支撐體作為模板,所得的復(fù)合材料將具有優(yōu)異的電子導(dǎo)電性,有利于實(shí)現(xiàn)其構(gòu)成電池的大倍率工作;而且,導(dǎo)電支撐體支撐的SiO/導(dǎo)電包覆層結(jié)構(gòu)更有利于緩沖活性物質(zhì)在循環(huán)過程中的體積應(yīng)變,實(shí)現(xiàn)更優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“導(dǎo)電支撐體負(fù)載的SiO/C復(fù)合電極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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