本發(fā)明涉及一種Si-B-C-N非晶陶瓷的化學(xué)氣相沉積方法，將基底材料懸掛于真空爐配套試樣架上，試樣處于爐內(nèi)等溫區(qū)中心位置，采用CVD/CVI法在基底材料表面/內(nèi)部制備均勻的Si-B-C-N非晶陶瓷。本發(fā)明制備的Si-B-C-N非晶陶瓷可應(yīng)用于連續(xù)纖維增韌陶瓷基復(fù)合材料的界面、基體和涂層，具有高溫穩(wěn)定性好、抗氧化性能好、抗蠕變能力強(qiáng)、密度低、熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱系數(shù)低等優(yōu)異性能，可替代SiC、Si3N4等材料，進(jìn)一步提高熱結(jié)構(gòu)陶瓷及陶瓷基復(fù)合材料的使用溫度和使用壽命，在航空發(fā)動機(jī)和工業(yè)燃?xì)廨啓C(jī)等高溫長壽命領(lǐng)域具有重大的應(yīng)用潛力。同時Si-B-C-N非晶陶瓷還具有類似于半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)和有趣的光學(xué)性質(zhì)，在高溫隱身、半導(dǎo)體、光電、通訊和控制等領(lǐng)域也有廣泛用途。