本發(fā)明公開了一種聚乙撐二氧噻吩納米管陣列及管內(nèi)獨(dú)站立納米線薄膜及其制備方法和應(yīng)用,該薄膜為具有整齊有序且按陣列排列的納米孔的聚乙撐二氧噻吩,且所述納米孔內(nèi)有獨(dú)立站立聚乙撐二氧噻吩納米線,所述薄膜透明且不溶于水。制備方法依次包括以下步驟:二次陽極氧化得到獨(dú)立分離的TiO2納米管陣列;以該獨(dú)立分離的TiO2納米管陣列為陽極,鉑絲為陰極,進(jìn)行恒電位或恒電流電聚合,得到在TiO2納米管陣列管內(nèi)外空間填充聚乙撐二氧噻吩的
復(fù)合材料,用氫氟酸去除TiO2納米管陣列,得到具有整齊有序且按陣列排列的納米孔的聚乙撐二氧噻吩。該復(fù)合材料可以作為透明電極材料,在有機(jī)薄膜
太陽能電池、抗靜電涂層、有機(jī)光電子、電致變色、固體電解電容器領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“聚乙撐二氧噻吩納米管陣列及管內(nèi)獨(dú)站立納米線薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)