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限域生長鈷納米顆粒的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極及其制備方法和應(yīng)用

982   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:08:29
本發(fā)明公開了一種限域生長鈷納米顆粒的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明先合成氧化鉭納米薄膜,然后將其作為載體,通過水熱法,負(fù)載上Co(tzbc)2(H2O)4配合物,通過化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法,對合成的復(fù)合材料進(jìn)行氮化反應(yīng),自然冷卻到室溫即可制備得到限域生長鈷納米顆粒的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極。本發(fā)明制備工藝簡單,通過CVD爐,不需要特殊壓強(qiáng)環(huán)境即可完成限域生長鈷納米顆粒的的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極的制備。制備的限域生長鈷納米顆粒的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極同時(shí)具有電催化析氫和析氧性能。
聲明:
“限域生長鈷納米顆粒的氮化鉭碳納米薄膜一體化電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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