本發(fā)明公開了一種全熔高效
多晶硅鑄錠用籽晶,所述的籽晶為表面局部包覆有氮化硅涂層的球狀SiC-SiO2復(fù)合顆粒。本發(fā)明還公開了上述全熔高效多晶硅鑄錠用籽晶的制備方法以及上述籽晶在多晶硅全熔高效鑄錠中的應(yīng)用。與目前普遍使用的全熔籽晶相比,該籽晶直接鋪設(shè)于坩堝底部的氮化硅涂層之上,而非固定于坩堝底部和氮化硅涂層之間,因而可以從根本上避免粘堝風(fēng)險(xiǎn);由于該籽晶無需控制引晶點(diǎn)間距,因而可實(shí)現(xiàn)更好的引晶效果,降低硅錠中位錯(cuò)比例;由于使用SiC、SiO2
復(fù)合材料作為籽晶,較石英顆粒籽晶,可顯著降低硅錠中下部的間隙氧含量。
聲明:
“全熔高效多晶硅鑄錠用籽晶及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)