3N4的超級電容器電極材料及其制法,復合材料"> 3N4的超級電容器電極材料及其制法,本發(fā)明涉及超級電容器電極材料技術領域，且公開了一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料，包括以下配方原料及組分：磺化聚苯乙烯納米微球、SnCl2、g?C3N4?石墨烯復合材料、檸檬酸鈉。該一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料，g?C3N4成多孔蜂窩狀，具有發(fā)達的比表面積和孔隙結構，提供了更多的反應活性位點，納米SnO2均勻地分散和負載到g?C3N4?石墨烯復合材料比表面和孔隙中，降低了納米SnO2團聚和堆積的現(xiàn)象，納米SnO2空心微">

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錫氧化物-改性g-C3N4的超級電容器電極材料及其制法

924   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 17:11:17
本發(fā)明涉及超級電容器電極材料技術領域，且公開了一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料，包括以下配方原料及組分：磺化聚苯乙烯納米微球、SnCl2、g?C3N4?石墨烯復合材料、檸檬酸鈉。該一種錫氧化物?改性g?C3N4的超級電容器電極材料，g?C3N4成多孔蜂窩狀，具有發(fā)達的比表面積和孔隙結構，提供了更多的反應活性位點，納米SnO2均勻地分散和負載到g?C3N4?石墨烯復合材料比表面和孔隙中，降低了納米SnO2團聚和堆積的現(xiàn)象，納米SnO2空心微球和g?C3N4之間產生異質界面結構，可以減少SnO2的體積膨脹現(xiàn)象，通過高溫熱還原法，使一部分納米SnO2還原成SnO，兩者之間形成PN異質界面，產生內建電場，加速了電荷的轉移和傳輸，增強了電極材料的導電性能。
聲明：
“錫氧化物-改性g-C3N4的超級電容器電極材料及其制法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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