本發(fā)明公開了一種
氧化鋁-氧化硅復合氧化物薄膜制備工藝,僅使用惰性氣體氬氣作為載氣及稀釋氣體,以目前國際通用的化學氣相沉積爐作為復合氧化物薄膜制造設備,能夠制備出比例可調的氧化鋁-氧化硅復合氧化物薄膜,制備溫度約500~800℃,可用于制備對氫氣有強滲透性的薄膜、金屬表面耐磨涂層以及非氧化物陶瓷基
復合材料防氧化涂層。
聲明:
“氧化鋁-氧化硅復合氧化物薄膜制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)