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NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用

1146   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:12:18
本發(fā)明公開了一種NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用。首先采用陽極氧化工藝在高純銅材表面生長垂直于基底并相互交錯排列的CuO/Cu2O納米片陣列,然后置于硝酸鎳水溶液中經(jīng)過水熱沉積處理,在納米片陣列上原位沉積羥基氧化鎳納米產(chǎn)物,獲得NiOOH@CuO/Cu2O納米復(fù)合材料。所制備的電極材料充分發(fā)揮了CuO/Cu2O納米片陣列和NiOOH的電化學(xué)協(xié)同作用,表現(xiàn)出超高比電容特性和良好的循環(huán)穩(wěn)定性,制備步驟簡單可控,是一種有實際應(yīng)用價值的超級電容電極材料。
聲明:
“NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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