本發(fā)明涉及一種基于微孔骨架結(jié)構(gòu)制備SiC/SiC?HfB2雙相鑲嵌抗氧化涂層及制備方法,用于解決現(xiàn)有方法制備的超高溫陶瓷HfB2相在涂層中分布不均勻和涂層富含低熔點(diǎn)游離硅的問題,以期提高碳/碳
復(fù)合材料在高溫下的長(zhǎng)壽命抗氧化性能。本發(fā)明的技術(shù)方案是先通過固滲反應(yīng)燒結(jié)在C/C復(fù)合材料表面制備SiC內(nèi)涂層,然后在SiC內(nèi)涂層表面采用超音速等離子噴涂制備含有SiO2空心微球的SiC?HfB2涂層,再經(jīng)高溫?zé)崽幚韺iO2空心微球揮發(fā)掉后生成微孔HfB2骨架層,最后經(jīng)過低溫化學(xué)氣相滲透工藝將SiC填充于該微孔骨架層中,最終制備出了HfB2均勻分布、不含游離硅、致密的SiC?HfB2抗氧化涂層。
聲明:
“基于微孔骨架結(jié)構(gòu)制備SiC/SiC-HfB2雙相鑲嵌抗氧化涂層及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)