該發(fā)明公開了一種納米SiC晶須的制備方法,具有高達100%的晶須產(chǎn)率。工藝原料為商業(yè)碳源和稻殼白灰的均勻混合物。在惰性氣氛中將該混合物加熱到高溫(1500℃),并且在該溫度下保溫一段時間。反應后,產(chǎn)物主要是β-SiC納米晶須(光滑表面或者表面有小顆粒而呈串珠結構)。將反應產(chǎn)物在空氣中加熱到700℃,保溫(120分鐘)除去殘余的碳元素,以得到高純度的SiC晶須產(chǎn)品。所得SiC晶須直徑為200nm到400nm,長度為數(shù)十微米。SiC的一系列優(yōu)異的性質使其具有廣泛的應用,例如用于
復合材料中的增強相,以及在熱流體中用于增加熱傳遞系數(shù)。本發(fā)明中,串珠結構的SiC晶須用于復合材料的增強,比起傳統(tǒng)的光滑纖維效果更加明顯;SiC晶須對于熱流體的熱傳遞系數(shù)有大幅度提高。
聲明:
“碳化硅晶須的制備方法及相關應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)