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低熱膨脹系數(shù)二氧化硅/聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法

851   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:12:59
本發(fā)明公開(kāi)了一種低熱膨脹系數(shù)SiO2/聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法。該復(fù)合材料由基體材料剛性聚酰亞胺與SiO2原位復(fù)合而成,基體聚酰亞胺是由1,2,4,5?均苯四甲酸二酐(PMDA)與2?(4?氨基苯基)?5?氨基?苯并噁唑(BOA)縮聚制得。本發(fā)明SiO2/聚酰亞胺復(fù)合材料制備工藝簡(jiǎn)單,SiO2在基體材料中分散較好。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的SiO2/聚酰亞胺復(fù)合薄膜,在基材的分子結(jié)構(gòu)中引入了剛性的PMDA與BOA結(jié)構(gòu)單元,同時(shí)BOA的高耐熱性,使得所制SiO2/聚酰亞胺復(fù)合薄膜展現(xiàn)出高熱穩(wěn)定性及低熱膨脹系數(shù)。能夠較好的滿足于集成電路和芯片封裝技術(shù)方面對(duì)硅基材料熱匹配的要求,可以應(yīng)用于微電子行業(yè),如電子封裝領(lǐng)域多層布線技術(shù)中的絕緣層;也可用于太陽(yáng)能電池中的絕緣層等。因而,具有較為廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“低熱膨脹系數(shù)二氧化硅/聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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