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晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應(yīng)用

739   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:16:25
本發(fā)明公開了一種晶圓級二維半導體器件的范德華集成方法,將載體?聚合物印章復合在接觸電極表面,進行剝離處理,將接觸電極中的金屬電極陣列從接觸電極基片上轉(zhuǎn)移至載體?聚合物印章上,獲得載體?聚合物?金屬電極材料;所述的載體與聚合物之間存在化學改性賦予的化學鍵合作用;在背柵電極表面復合過渡金屬鹵素類化合物二維材料,獲得背柵電極?TMDs復合材料;載體?聚合物??金屬電極材料和背柵電極?TMDs復合材料根據(jù)需要的集成電路方式進行對準,隨后剝離載體?聚合物印章,并進行刻蝕處理,獲得晶圓級二維半導體器件。本發(fā)明大規(guī)模范德華集成方法可為二維半導體器件的可靠集成開辟一條道路,促進二維半導體電子器件的實際化應(yīng)用。
聲明:
“晶圓級二維半導體器件及其范德華集成方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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