本發(fā)明公開了一種鉬基
碳納米管電子封裝材料的制備方法,具體按照以下步驟實施:步驟1,鉬粉提純,將鉬粉在氫氣爐內(nèi)進行高溫還原以祛除表面的氧化層,步驟2,磁控濺射,所用靶材為銅或者鉻,步驟3,碳納米管生長,將步驟2中表面已經(jīng)濺射銅,鉻催化劑的鉬粉,放入CVD爐內(nèi)進行碳納米管生長,步驟4,熱壓,將拓撲結(jié)構(gòu)的鉬與碳納米管的
復(fù)合材料,在熱壓爐內(nèi)盡心熱壓燒結(jié),將拓撲結(jié)構(gòu)的鉬與碳納米管的復(fù)合材料,在熱壓爐內(nèi)盡心熱壓燒結(jié)。采用碳納米管進行復(fù)合的方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)中制備的封裝材料熱導(dǎo)率不高和孔隙率高的缺點。
聲明:
“鉬基碳納米管電子封裝材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)