本發(fā)明公開了一種原位生長(zhǎng)TiC納米管的方法,屬于
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。包括以下步驟:制備
碳納米管;在所述碳納米管表面采用原子層沉積的方式生長(zhǎng)Ti或TiO
2;進(jìn)行真空高溫?zé)Y(jié),生成TiC納米管。采用原子層沉積Ti/TiO
2的方式,不僅保留碳納米管陣列原本的形貌結(jié)構(gòu),可以有效實(shí)現(xiàn)對(duì)碳納米管陣列的均勻包覆,從而規(guī)避了其他傳統(tǒng)沉積方式的弊端,而且沉積Ti/TiO
2的前驅(qū)體源很豐富,選擇性更高。原位生長(zhǎng)TiC納米管不僅有利于充分發(fā)揮碳納米管陣列結(jié)構(gòu)的特性,而且可以充分發(fā)揮TiC的電學(xué)和機(jī)械性能,拓寬了TiC納米管在器件中的應(yīng)用。
聲明:
“原位生長(zhǎng)TiC納米管的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)