本發(fā)明涉及聚吡咯包覆的
碳納米管復(fù)合熱電材料的制備方法,特別是在以過硫酸銨作為氧化劑的情況下,吡咯通過原位氧化聚合對碳納米管包覆形成復(fù)合熱電材料的制備方法。本發(fā)明的制備方法是以廉價(jià)易得的吡咯單體和性質(zhì)穩(wěn)定的碳納米管為原料,以聚對乙烯苯磺酸鈉(PSSNa)為表面活性劑,1,5-萘二磺酸為摻雜劑,過硫酸銨為氧化劑,以水為溶劑,在室溫下通過吡咯的原位氧化聚合得到高效率合成碳納米管/聚吡咯復(fù)合熱電材料。本發(fā)明克服了純導(dǎo)電高分子聚吡咯的本征低電導(dǎo)率和碳納米管的高熱導(dǎo)率等缺點(diǎn),充分利用聚吡咯的低熱導(dǎo)率和碳納米管高電導(dǎo)率的特點(diǎn),通過將兩者有機(jī)復(fù)合,提供一種操作簡單、綠色環(huán)保,反應(yīng)溫度低,組分分散均勻性好的聚吡咯包覆碳納米管的高熱電性能
復(fù)合材料制備新方法。
聲明:
“聚吡咯包覆碳納米管的復(fù)合熱電材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)