本發(fā)明提供一種碳包覆過(guò)渡金屬中空結(jié)構(gòu)納米顆粒的制備方法,該方法基于柯肯達(dá)爾效應(yīng),將帶有含氧基團(tuán)的芳烴化合物與過(guò)渡金屬化合物經(jīng)溶解混合、高溫共熱解、保溫原位還原得到碳包覆金屬單質(zhì)納米中空顆粒。該方法制備的中空結(jié)構(gòu)殼層由碳和納米金屬
復(fù)合材料組成,納米顆粒分散均勻,納米顆粒直徑范圍為20nm~80nm,碳包覆層為2.2nm~4.3nm。
聲明:
“碳包覆過(guò)渡金屬納米中空顆粒的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)