本發(fā)明屬于超級(jí)電容器電極材料的制備技術(shù)領(lǐng)域,提供一種以三維
石墨烯泡沫為基底的鉬酸鈷納米片陣列超級(jí)電容器電極材料及其制備方法和應(yīng)用,分別以泡沫鎳和甲烷為基底和碳源,通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在泡沫鎳表面負(fù)載石墨烯,鹽酸刻蝕鎳得到石墨烯泡沫;以石墨烯泡沫為基底,硝酸鈷,鉬酸鈉和水配制得到前驅(qū)體溶液,將石墨烯泡沫與前驅(qū)體溶液混合進(jìn)行水熱反應(yīng)即得3D?graphene@CoMoO
4納米片陣列
復(fù)合材料。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單,成本低;CoMoO
4納米片通過(guò)水熱直接生長(zhǎng)在石墨烯泡沫基底上,有效地避免了粘結(jié)劑的使用;通過(guò)控制前驅(qū)體溶液的濃度控制材料的形貌;制得的復(fù)合電極材料具有高的比電容和良好的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“三維石墨烯泡沫為基底的鉬酸鈷納米片陣列電極材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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