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原位雙層包覆硅碳負極材料及其制備方法

1045 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 17:45:20

本發(fā)明公開了一種原位雙層包覆硅碳負極材料及其制備方法，通過亞微米硅和含有羥基的有機溶劑在加熱的條件下進行預反應，在亞微米級硅表面原位生成一層致密的二氧化硅包覆層；通過加熱溶解以及噴霧干燥等工藝得到有機碳源均勻包覆的粉料；然后通過低溫焙燒的方式，保證碳的原位包覆效果，有效避免高溫焙燒過程中由于有機碳源軟化而導致硅顆粒的黏連燒結，避免后續(xù)粉碎過程中對硅包覆層的破壞；最后通過和石墨類負極材料均勻混合以及高溫焙燒碳化等手段得到最終產(chǎn)品。本發(fā)明包覆層均勻致密不僅可以提高復合材料的電子導電性，而且可以抑制硅的體積膨脹；且由于低溫焙燒工藝的引入，抑制了硅顆粒的黏連和燒結；操作簡單，成本低廉，適用于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。

聲明：

“原位雙層包覆硅碳負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)