抗干擾半導(dǎo)體集成電路的集成方法,是將金屬與陶瓷的
復(fù)合材料用作管基和管帽外層的材料,具體做法是:在預(yù)先燒結(jié)成型的陶瓷管帽的外表面,用涂覆金屬漿料燒結(jié)方式或化學(xué)電鍍方式或真空鍍膜的方式形成所需管帽金屬層;用低溫共燒陶瓷工藝及厚膜印刷與燒結(jié)工藝制作管基底座,形成半導(dǎo)體集成電路
芯片鍵合區(qū)、外表面管基金屬層、對(duì)外引腳結(jié)構(gòu);再進(jìn)行半導(dǎo)體集成電路芯片的裝貼、引線鍵合和封帽;使封裝內(nèi)外電磁環(huán)境實(shí)現(xiàn)良好的隔離,以滿足從低頻到高頻的電磁全頻段的屏蔽要求。用本發(fā)明方法生產(chǎn)的器件廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域,特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域。
聲明:
“抗干擾半導(dǎo)體集成電路的集成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)