本發(fā)明屬于半導(dǎo)體納米
復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種高溫
石墨烯基底上直接生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn)的方法。本發(fā)明采用濺射沉積技術(shù),在高溫條件下的石墨烯基的襯底上,直接濺射生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn),濺射生長(zhǎng)時(shí)間為100?s~500?s。本發(fā)明通過(guò)工藝簡(jiǎn)單的濺射沉積技術(shù)在高溫石墨烯基的襯底上直接生長(zhǎng)出了結(jié)晶性好、高密度、尺寸均勻的Ge量子點(diǎn),有效地解決了室溫下制備的Ge點(diǎn)不結(jié)晶、低密度、尺寸大、均勻性差的不足,為高性能紅外光電探測(cè)器等半導(dǎo)體光電器件的研發(fā)提供了有效途徑。
聲明:
“高溫石墨烯基底上直接生長(zhǎng)Ge量子點(diǎn)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)