本發(fā)明為一種氮化硼基單向絕緣復(fù)合相變材料。所述
復(fù)合材料由氮化硼導(dǎo)熱絕緣骨架中間定向加入高導(dǎo)熱二維薄膜,隨后浸漬有機(jī)相變材料得到。該復(fù)合相變材料相比現(xiàn)有相變材料,大幅度提高熱導(dǎo)率的同時(shí)保持了復(fù)合相變材料垂直方向的絕緣性能,降低了短路的風(fēng)險(xiǎn),提高了復(fù)合相變材料的使用安全性,為高導(dǎo)熱相變材料在電子器件溫度管理領(lǐng)域的應(yīng)用掃除了障礙。
聲明:
“氮化硼基單向絕緣復(fù)合相變材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)