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晶界調控n型碲化鉍薄膜性能的方法

1043   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-18 20:13:35
一種晶界調控n型碲化鉍薄膜性能的方法，涉及一種熱電材料調控方法，屬于新能源材料領域，本發(fā)明方法解決現有技術中晶界結構和化學性質隨著溫度、壓力和化學勢等熱力學參數的變化產生不連續(xù)地變化等問題。該方法包括以下過程：第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶為靶材，采用磁控濺射技術在加熱基底上制備n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn為原料，采用蒸發(fā)技術，在n型Bi2Te3薄膜的表面鍍上Sn。第三步采用保護氣退火爐對鍍Sn后的n型Bi2Te3在高溫下退火后，隨爐冷卻，以獲得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本發(fā)明方法為低溫發(fā)電微型器件的性能優(yōu)化提供高性能、低成本、設備簡單、工藝簡單、操作易控、性能均勻、穩(wěn)定的優(yōu)化工藝方案。
聲明：
“晶界調控n型碲化鉍薄膜性能的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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