本發(fā)明公開(kāi)了一種延續(xù)單一生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法,屬于晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)選擇具有單一生長(zhǎng)中心的碳化硅單晶生長(zhǎng)前沿作為下次生長(zhǎng)的籽晶,可以有效地避免生長(zhǎng)初期出現(xiàn)的多核生長(zhǎng)現(xiàn)象,經(jīng)過(guò)多次延續(xù)單一生長(zhǎng)中心后,碳化硅單晶中的成對(duì)反向螺位錯(cuò)會(huì)發(fā)生聚并湮滅,從而可以降低單晶中的內(nèi)部缺陷密度。通過(guò)本發(fā)明方法,能夠獲得質(zhì)量越來(lái)越好的低缺陷密度碳化硅晶體。本發(fā)明制備的碳化硅單晶可以更好地應(yīng)用在航天、航空、航母等國(guó)防軍工領(lǐng)域,也可廣泛地應(yīng)用在工業(yè)自動(dòng)化、
新能源汽車、家電、5G通訊等民用領(lǐng)域。
聲明:
“延續(xù)單一生長(zhǎng)中心制備碳化硅單晶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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