本發(fā)明屬于
新能源材料與器件領(lǐng)域,特別涉及一種半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池的制備方法。提出一種以Cd2SnO4為透明導(dǎo)電層,n型CdS為窗口層,Zn2SnO4作為透明導(dǎo)電層和窗口層之間的緩沖層材料,p型CdS作吸收層的CdS同質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上,采用干法工藝制備出同質(zhì)結(jié)的CdS太陽(yáng)電池。即在硼硅或鋁硅玻璃上射頻濺射透明導(dǎo)電層Cd2SnO4,隨后射頻濺射緩沖層Zn2SnO4,接下來(lái),采用射頻濺射法制備n型CdS作為窗口層,然后采用物理氣相法室溫沉積摻銅CdS并后處理,獲得p型CdS作吸收層,或者物理氣相法直接在一定溫度下生長(zhǎng)p型摻銅CdS作吸收層,最后沉積金屬電極,并接上引線。采用上述結(jié)構(gòu)和工藝,可更好收集和利用太陽(yáng)光,有效地對(duì)CdS進(jìn)行p型摻雜處理,并消除晶格失配和界面態(tài)帶來(lái)的影響,從而獲得更高的光電轉(zhuǎn)換效率。
聲明:
“硫化鎘薄膜太陽(yáng)電池及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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