本發(fā)明涉及納米材料與微結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種基于均勻的化學(xué)鍍鎳硅微通道襯底結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)均勻納米結(jié)構(gòu)材料的方法，其步驟包括：通過(guò)激光切割出所需形狀的從硅襯底剝離的硅微通道，用化學(xué)鍍鎳的方法在微通道表面均勻生長(zhǎng)一層鎳導(dǎo)電層；調(diào)整沉積鎳的時(shí)間使得所得到的鍍鎳硅微通道的電阻低于兩歐姆；然后在鍍鎳微通道表面通過(guò)水熱法生長(zhǎng)一層納米結(jié)構(gòu)，這層納米結(jié)構(gòu)是由CoMoO4這種復(fù)合金屬氧化物構(gòu)成的，本發(fā)明利用水熱法在微米孔徑的鍍鎳硅微通道表面和內(nèi)部生長(zhǎng)納米結(jié)構(gòu)，提高了結(jié)構(gòu)的均勻性與穩(wěn)定性，避免了物理方法輸運(yùn)材料到微通道內(nèi)部造成的微通道的嚴(yán)重堵塞，同時(shí)自身具有良好的電化學(xué)活性，有望應(yīng)用于新能源領(lǐng)域。