本申請公開了一種降低鈮酸鋰或鉭酸鋰晶片透明度和電阻率的方法,通過將預(yù)處理的鈮酸鋰晶片或鉭酸鋰晶片與純棉紙張或纖維布交替設(shè)置,構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu),在特定的退火爐工藝條件下,對晶片進行還原黑化處理,通過調(diào)節(jié)純棉紙張或纖維布厚度與晶片厚度比值,能夠可控制備還原程度不同的鈮酸鋰或鉭酸鋰黃黑片/灰片,有效解決了晶片黑化速度過快,晶片還原程度難以控制以及晶片完全黑化等問題,同時有效降低晶片電阻率及光穿透率,提升晶片性能,提高晶片質(zhì)量并降低生產(chǎn)成本,整個工藝制備過程環(huán)保、無污染,還原黑化處理工藝精簡,能耗低生產(chǎn)效率低,具有優(yōu)異的實際生產(chǎn)價值。
聲明:
“降低鈮酸鋰或鉭酸鋰晶片透明度和電阻率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)