本實用新型公開了一種低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強度調(diào)制器,包括:基底晶片、鈮酸鋰薄膜、光學波導、調(diào)制電極、信號電極、地電極、直流偏壓電極,所述基底晶片采用具有低介電常數(shù)的材料;所述鈮酸鋰薄膜為單晶結(jié)構(gòu)、X切Y傳晶向的光學級鈮酸鋰單晶薄膜;所述光學波導為鈦擴散波導或退火質(zhì)子交換波導;所述調(diào)制電極為推挽型行波式電極結(jié)構(gòu),所述直流偏壓電極為推挽型集總式電極結(jié)構(gòu)。本實用新型的有益效果為,通過采用基于低介電常數(shù)材料基底晶片的鈮酸鋰薄膜結(jié)構(gòu),可去除二氧化硅緩沖層,實現(xiàn)鈮酸鋰強度調(diào)制器直流漂移現(xiàn)象的大幅抑制,顯著提升鈮酸鋰強度調(diào)制器的長期工作性能和可靠性。
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“低直流漂移的鈮酸鋰薄膜強度調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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