本申請公開了一種力學(xué)傳感器用鈮酸鋰單晶薄膜圖形化刻蝕方法,包括:制作鈮酸鋰薄膜;清洗上述鈮酸鋰薄膜;在上述鈮酸鋰薄膜表面涂覆光刻膠或?yàn)R射金屬薄膜,使用紫外光刻技術(shù)得到刻蝕用掩膜層;使用丙酮浸泡鈮酸鋰薄膜,剝離薄膜表面光刻膠;使用離子束刻蝕機(jī)對鈮酸鋰薄膜刻蝕;將刻蝕后薄膜進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)清洗清除表面光刻膠殘留獲得鈮酸鋰薄膜圖形化結(jié)構(gòu)。本申請實(shí)現(xiàn)了離子束刻蝕的方法完成了鈮酸鋰單晶圖形化刻蝕,獲得了低粗糙度、高深寬比、高可靠性的鈮酸鋰圖形化結(jié)構(gòu),通過不同的工藝流程優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了鈮酸鋰的高質(zhì)量長時間連續(xù)刻蝕,進(jìn)而極大地提高了樣品的成品率,為力學(xué)傳感器的后繼工藝提供了理論技術(shù)支持。
聲明:
“力學(xué)傳感器用鈮酸鋰單晶薄膜圖形化刻蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)