本發(fā)明涉及光纖通信和傳感技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種鈮酸鋰調(diào)制器
芯片及其制作方法,鈮酸鋰調(diào)制器芯片的制作方法包括:在鈮酸鋰基片上表面制作一層掩膜;在所述掩膜上沿Y軸方向刻蝕出光波導(dǎo)掩膜窗口,并在所述光波導(dǎo)掩膜窗口內(nèi)的鈮酸鋰基片上表面制作光波導(dǎo);在所述光波導(dǎo)兩側(cè)分別制作金屬電極,并對所述鈮酸鋰基片的光輸入面、光輸出面以及±Z面進行切割,形成鈮酸鋰調(diào)制器芯片;在鈮酸鋰調(diào)制器芯片的±Z面分別制作導(dǎo)電薄膜,并在鈮酸鋰調(diào)制器芯片的下表面制作導(dǎo)電涂覆層,使±Z面的導(dǎo)電薄膜通過所述導(dǎo)電涂覆層連接導(dǎo)通。本方案可有效降低變溫過程中鈮酸鋰晶體熱釋電效應(yīng)對鈮酸鋰調(diào)制器性能的影響,提高鈮酸鋰調(diào)制器的全溫性能。
聲明:
“鈮酸鋰調(diào)制器芯片及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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