本發(fā)明屬于納米陣列LED生長與制備的技術(shù)領(lǐng)域,公開了生長在鎵酸鋰襯底上的納米柱LED及其制備方法。所述生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED包括LiGaO2襯底,生長在LiGaO2襯底上的GaN納米柱陣列,生長在GaN納米柱陣列上的非摻雜GaN層,生長在非摻雜GaN層上的n型摻雜GaN層,生長在n型摻雜GaN層上的InGaN/GaN量子阱,生長在InGaN/GaN量子阱上的p型摻雜GaN層;所述GaN納米柱陣列為非極性GaN納米柱陣列。本發(fā)明所選擇的鎵酸鋰襯底材料成本低廉,所制備的納米柱陣列尺寸可控,取向均一,所獲得的非極性納米柱LED的缺陷密度低、電學(xué)和光學(xué)性能優(yōu)良。
聲明:
“生長在鎵酸鋰襯底上的非極性納米柱LED及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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