本發(fā)明屬光電材料領(lǐng)域。它提供了一種生長近化 學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的方法 : 采用填加K2O助溶劑的方法, 降低鈮酸鋰的熔點(diǎn), 提高晶體的鋰鈮比, 在熔融狀態(tài)下, 利用提拉法生長近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體(包括名義純和各種摻雜)。該技術(shù)生長的晶體中Li2O的含量在49mol%以上, 且光學(xué)質(zhì)量好, 適用于產(chǎn)業(yè)化。在表面波濾波器、電光調(diào)制、電光開關(guān)、光波導(dǎo)其激光器、倍頻、參量振蕩、高密度信息存儲(chǔ)、光電器件集成等方面有著非常廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體及其生長方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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