本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)與InP基光電探測器異質(zhì)集成結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)主要包括InP基光電探測器外延層、耦合層、薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)、緩沖層和襯底;InP基光電探測器外延層通過耦合層集成于薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)正上方,緩沖層和襯底依次分布于薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)下方;沿薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)傳輸至InP基光電探測器的光信號通過倏逝波耦合機(jī)制,從薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)透過耦合層先耦合進(jìn)入其正上方的InP基錐形過渡區(qū),再進(jìn)入InP基光電探測器外延層,實(shí)現(xiàn)薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)與InP基光電探測器外延層片上異質(zhì)集成,滿足薄膜鈮酸鋰光
芯片和InP基光電探測器芯片的低損耗異質(zhì)集成需求。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)與InP基光電探測器異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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