一種坩堝下降法生長近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶 的方法,其特征在于它是采用電阻加熱溫梯爐生長的,包括如 下步驟:在坩堝的籽晶槽內(nèi)放入定向籽晶;選定并 按Li2CO3和Nb2O5的比例配料,混合 均勻,用壓料機壓塊成形后,直接裝入坩堝中,加上坩堝蓋, 置于電阻爐中;加熱升溫,熔體溫度達1160~1200℃,熔 融LN多晶料,使其成為飽和溶液,恒溫2~6小時;以0.1-1 毫米/小時的速率下降坩堝、生長晶體,待晶體結(jié)晶完畢,緩慢降 溫至室溫。選用
碳酸鋰和氧化鈮為原料,其中碳酸鋰的克分子比 為(54~63)%。本發(fā)明的克服了在先技術(shù)的設(shè)備復(fù)雜、質(zhì)量不穩(wěn) 定、尺寸小和成本高等缺點,適宜批量生產(chǎn),可滿足光電子技術(shù) 迅猛發(fā)展的市場需求。
聲明:
“坩堝下降法生長近化學(xué)計量比鈮酸鋰單晶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)