本發(fā)明公開了一種摻錫鈮酸鋰晶體，在鈮酸鋰晶體中摻入有錫離子 Sn4+，所述錫離子Sn4+的摻入量為0.1～6.0mol％(摩爾百分比)，且鈮酸鋰晶 體中含有比例為(0.93～1.41)∶1的鋰離子Li1+與鈮離子Nb3+。本發(fā)明公開的 摻錫鈮酸鋰晶體具有摻雜閾值低，抗光折變能力較強，且易于生長等優(yōu)點。 本發(fā)明的摻錫鈮酸鋰晶體的抗光折變能力比同成份鈮酸鋰晶體提高了4個量 級，比同成分摻鎂鈮酸鋰晶體提高了1個量級，因此其作為一種摻雜閾值低、 抗光折變能力強、且易于生長的光學(xué)材料，可以完全取代高摻鎂鈮酸鋰晶體 的應(yīng)用，具有巨大的市場前景和重大的生產(chǎn)實踐意義。