本發(fā)明公開(kāi)了一種原子層沉積(Atomic?Layer?Deposition,ALD)修飾的鋰離子電池及其制備方法,本發(fā)明公開(kāi)的原子層沉積修飾的鋰離子電池正、負(fù)極活性物質(zhì)材料至少擇一表面形成有修飾層,所述修飾層采用原子層沉積工藝形成;或者正、負(fù)極極片至少擇一表面形成有修飾層,所述修飾層采用原子層沉積工藝形成。
聲明:
“原子層沉積修飾的鋰離子電池及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)