本發(fā)明提供了一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法,該選通管包括底層電極;中間層材料,位于所屬底電極一側(cè)表面;頂層電極,位于所述選通管材料層遠(yuǎn)離所述底層電極一側(cè)表面。其中,所述底層電極的材料為泡沫鎳(Ni form)、泡沫銅、金屬鎳片、金屬銅片、金屬鎳薄膜和金屬銅薄膜的一種;所述中間層材料為鋰鎳氧化物L(fēng)ixNiO2?δ(0<x≤1);所述頂層電極為金屬鉑、金屬金的一種。本發(fā)明的一種基于鋰鎳氧化物材料的選通管,具有Forming?free的特性,不需要Forming過程就可以直接表現(xiàn)出雙向閾值轉(zhuǎn)變的性能,且有穩(wěn)定的閾值電壓和保持電壓,將其作為整流器件,可有效抑制RRAM存儲器陣列中的串?dāng)_電流。本發(fā)明選通管具有結(jié)構(gòu)簡單、工藝簡單、價格低廉等的特點。
聲明:
“基于鋰鎳氧化物材料的選通管及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)