在鉭酸鋰基片中,防止了在基片的表面電荷的累積而產(chǎn)生的火花,從而防止對(duì)LT基片表面形成的梳型結(jié)構(gòu)的破壞和LT基片內(nèi)的裂紋等。此外,在光刻方法中,避免進(jìn)入LT基片的光線從LT基片的后表面反射回前表面,防止對(duì)梳型結(jié)構(gòu)分辨率破壞。在從LT晶體制備LT基片的制備過(guò)程中,在晶體生長(zhǎng)后,將坯料形式的LT基片包埋在碳粉末中,或置于碳容器中,然后維持650℃至1650℃的溫度至少4小時(shí)進(jìn)行熱處理。